ＮＣＤ株式会社、江苏微导纳米科技股份有限公司侵害发明专利权纠纷民事二审民事判决书

中华人民共和国最高人民法院

民 事 判 决 书

（2020）最高法知民终1162号

上诉人（原审原告）：NCD株式会社。住所地：大韩民国大田广域市儒城区铁克诺2路14-1（关坪洞）。

代表人：申雄澈，该公司董事长。

委托诉讼代理人：张冰，上海兰迪律师事务所律师。

委托诉讼代理人：李嵘，上海兰迪律师事务所律师。

被上诉人（原审被告）：江苏微导纳米科技股份有限公司。住所地：中华人民共和国江苏省无锡市新吴区漓江路11号。

法定代表人：王磊，该公司董事长。

委托诉讼代理人：刘念，江苏新高的律师事务所律师。

委托诉讼代理人：刘玉，北京市安理律师事务所律师。

上诉人NCD株式会社因与被上诉人江苏微导纳米科技股份有限公司（以下简称微导公司）侵害发明专利权纠纷一案，不服中华人民共和国江苏省苏州市中级人民法院于2020年5月6日作出的（2019）苏05知初339号民事判决，向本院提起上诉。本院于2020年7月27日立案后，依法组成合议庭，于2020年11月19日公开开庭审理了本案。上诉人NCD株式会社的委托诉讼代理人张冰、李嵘，被上诉人微导公司的委托诉讼代理人刘念、刘玉到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。

NCD株式会社上诉请求：撤销原审判决，将本案发回重审。事实与理由：（一）原审法院认为被诉侵权技术方案中“反应气体不进入处理室”的情况与勘验结果不符。原审法院组织现场勘验时，被诉侵权设备外部壳体封闭，并不能直观看到反应气体是否进入处理室，“反应气体不进入处理室”系微导公司自述，并没有事实依据，不能简单地从被诉侵权设备喷淋板密布喷淋孔对应位置为料盒就直接推断反应气体不进入处理室。原审中，NCD株式会社指出在处理室底部和喷淋板边缘可见明显白色粉末，其应为化学反应产生的渣滓沉淀，从而可以证明反应气体进入处理室，微导公司并未对此进行任何说明和解释，原审法院亦未对此做任何分析论证，系对该项事实认定错误。（二）原审法院认为被诉侵权技术方案中“料盒与处理室内壁之间的距离大于各相邻基片之间的距离，涉案专利则距离相同”，与事实不符。专利号为201110434373.6，名称为“用于薄膜沉积的方法和系统”的发明专利（以下简称涉案专利）权利要求1载明“处理室，其中所述处理室接收所述料盒，以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”，涉案专利说明书[0042]段可见术语“层流之间的距离”指的是两股气体的层流之间的距离，而在整个权利要求书、说明书以及附图中均未提及料盒与处理室内壁之间的距离与相邻基片之间的距离是相同的，原审法院该认定与事实不符。（三）原审法院认为被诉侵权技术方案中“进气与排气的流向为同一方向，涉案专利则成相反方向”，与事实不符。涉案专利供气单元与排气单元的位置关系表述为“排气单元，其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上，并且所述排气单元通过在所述各基片的后侧抽吸气体而将气体从所述处理室内排出”，由此可见气体的流向是“供气单元—基片—排气单元”。原审现场勘验可见被诉侵权设备供气单元位于处理室前侧，排气单元位于供气单元相反的后侧，气体的流向是“供气单元—基片—排气单元”。被诉侵权设备的气体流向与涉案专利权利要求所称气体流向一致。故，原审法院对气体流向这一认定与事实不符。（四）原审法院认定被诉侵权设备与涉案专利采用了不同的技术方案，与事实不符。原审中，微导公司明确指出，其料盒中第一排硅片和料盒顶端之间的距离大于100毫米，以便于喷淋板内的气体喷出能达到均匀扩散的目的。也即，该喷淋装置和前端的凹槽共同组成了被诉侵权设备的供气单元，使所供入的气体均匀扩散，将气体以层流方式沿与基片布置平行的方向供至料盒内安置的所有基片；而涉案专利也是将气体沿与基片的布置平行的方向供至料盒内安置的所有基片，从而使所述反应气以层流状被提供至各基片。两技术方案使用的技术手段都是以层流的方式向基片供气，两者最终实现的功能都是要使气体沿与基片布置平行的方向供至在料盒内安置的所有基片，从而在各基片表面形成原子层沉积的最终效果。两者为相同的技术方案。（五）原审审理程序不正当。在原审现场勘验时有技术调查官参加，但并未按照相关法律规定告知当事人，且原审判决书中亦无技术调查官署名，原审审理程序不当，应发回重审。

微导公司辩称：（一）被诉侵权设备中反应气只进入料盒不进入处理室，而涉案专利的反应气进入整个处理室。原审勘验可知，被诉侵权设备中反应气通过喷淋板，只喷射至料盒，不喷射料盒和处理室之间的间隙。被诉侵权设备中料盒和处理室之间的空间中不断吹入惰性气体。（二）被诉侵权设备的基片与处理室侧壁的距离超过60毫米，与前壁的距离超过了100毫米，被诉侵权设备中料盒内基片不需要保持层流距离，仅有一片基片也可以镀膜。被诉侵权设备中反应气进入的方式为弥散且显著扩散的，不是层流。（三）被诉侵权设备中进气和排气是同一方向，涉案专利中不是。被诉侵权设备中反应气由前端喷淋板喷出，后端排出。而涉案专利中，反应气从供气单元侧壁供气端口供气，传输至相邻侧壁，层流状的气流在基片的空间朝处理室后端移动，处理室后侧抽吸气体，气体从排气单元排除。（四）被诉侵权设备和涉案专利采用了不同的技术方案。被诉侵权设备采用的是垂直流动式即喷淋式反应室。涉案专利采用的是横向流动式反应室。虽然被诉侵权设备与涉案专利中各组件名称类似或相同，但两者工作原理不同，实为不同的技术方案。（五）原审审理程序合法。原审中，确有技术人员旁听了庭审并参加了现场勘验，但并非本案的技术调查官，故其在原审判决中并未署名，原审法院未向当事人告知并无不当。

NCD株式会社向原审法院提起诉讼，原审法院于2019年5月9日立案受理。NCD株式会社向原审法院提出诉讼请求：1.判令微导公司停止侵害涉案专利权的行为，停止制造、销售被诉侵权设备；2.判令微导公司支付其赔偿金共计300万元；3.判令微导公司赔偿其律师费99217.48元；4.判令微导公司向其支付公证费等费用5000元。事实与理由：NCD株式会社系涉案专利权人，其将应用该专利技术产品投放中国巿场后获得大量订单。自2018年起，NCD株式会社发现微导公司生产的“AL2O3原子层沉积设备-夸父系列原子层沉积镀膜系统”在与其相同的客户群体中销售。经技术比对，微导公司生产销售的“AL2O3原子层沉积设备-夸父系列原子层沉积镀膜系统”完全落入涉案专利权的保护范围。微导公司未经其许可，为生产经营目的制造、销售被诉侵权设备构成侵权，应承担法律责任。

微导公司原审辩称：其销售给江苏顺风光电科技有限公司（以下简称顺风光电公司）的KF550D号氧化铝镀膜设备没有侵害涉案专利权，应驳回NCD株式会社的诉讼请求。被诉侵权设备的基片与处理室的壁之间的距离与侧壁的距离测量超过60mm，与前壁测量超过了100mm，不同于涉案专利权利要求保护的技术特征，被诉侵权设备未落入涉案专利权的保护范围。

原审法院查明事实：

2011年12月15日，NCD株式会社向中华人民共和国国家知识产权局提交涉案专利申请，并于2014年12月10日获授权公告。该专利权现行有效，其权利要求1记载：一种薄膜沉积系统，包括：料盒，其装载多个基片，以使得各基片之间彼此隔开恒定的距离；处理室，其中所述处理室接收所述料盒，以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离，并且，在所述处理室内，所述各基片经受原子层沉积；供气单元，其中所述供气单元安置在所述处理室的一个侧壁上并且将气体沿与所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒内安置的所有基片，从而所述气体以层流状被提供至各基片的前端、各基片之间的空间、以及基片与处理室的壁之间的空间，并且相应的基片之间的距离为层流之间的距离；以及排气单元，其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上，并且所述排气单元通过在所述各基片的后侧抽吸气体而将气体从所述处理室排出。权利要求5记载：一种薄膜沉积方法，包括：1)将装载有多个基片的料盒安置在处理室内；2)将第一反应气供入所述处理室内，从而由所述第一反应气所占据的第一反应气空间在所述处理室内依次从一个场所移动至另一个场所；3)将吹净气供入所述处理室内同时阻挡所述第一反应气，以使得第一吹净气空间与所述第一反应气空间连续地被形成，并且所述第一吹净气空间沿与所述第一反应气空间相同的方向移动；4)将第二反应气供入所述处理室内同时阻挡所述吹净气，以使得第二反应气空间与所述第一吹净气空间连续地被形成，并且所述第二反应气空间沿与所述第一吹净气空间相同的方向移动；并且5)将吹净气供入所述处理室内同时阻挡所述第二反应气，以使得第二吹净气空间与所述第二反应气空间连续地被形成，并且所述第二吹净气空间沿与所述第二反应气空间相同的方向移动，其中，在所述操作1)至5)的过程中，沿与供应所述反应气和吹净气的方向相反的方向没有停止地进行排气操作，这是通过从所述处理室抽吸并排出所述气体实现的，并且各基片之间的距离和所述料盒与所述处理室之间的距离为随后将从所述处理室排出的气体的层流之间的距离。

涉案专利说明书背景技术[0002]段记载了通过溅射、化学蒸度（CVD）、原子层沉积（ALD）等工序实现在晶片或玻璃（此后称为“基片”）上沉积薄膜。[0005]段记载了因为用于原子层沉积的传统设备通过扩散板的喷嘴孔以点式方式而非平面的方式供应气体，所以气体在处理室内并没有被均匀地分布，因而使得薄膜的均匀性变差。

说明书发明内容[0006]段记载：本发明旨在解决如上所述的问题，并且本发明的各方面为提供用于薄膜沉积的方法和系统，其包括处理室，所述处理室被构造成在反应气和吹净气被连贯地供入处理室内时提供层流状气流(laminargasflow)并且虚拟地划分成多个空间，从而在虚拟划分的空间在处理室内移动时，针对多个基片能够实现原子层沉积，因而减小了处理时间。说明书[0008]段记载：根据本发明的另一个方面，薄膜沉积系统可以包括料盒，其装载多个基片，以使得各基片之间彼此隔开恒定的距离，并且相应的基片之间的距离为层流（分层的流）之间的距离；处理室，其中所述处理室接收所述料盒，以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离，并且，在所述处理室内，所述各基片经受原子层沉积；供气单元，其中所述供气单元安置在所述处理室的一个侧壁上并且将气体沿与所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒内安置的所有基片，从而所述气体以层流状被提供至各基片的前端、各基片之间的空间、以及基片与处理室的壁之间的空间；以及排气单元，其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上，并且所述排气单元通过在所述各基片的后侧抽吸气体而将气体从所述处理室排出。

微导公司原企业名称江苏微导纳米装备科技有限公司，本案原审诉讼中，其于2019年12月10日经无锡市市场监督管理局依法核准，变更其企业名称为江苏微导纳米科技股份有限公司。微导公司实际制造、销售夸父系列原子层沉积镀膜系统设备，案外人顺风光电公司处使用的一台夸父系列原子层沉积镀膜系统设备系其销售，微导公司确认该设备型号为KF550D。原审诉讼中，原审法院对顺风光电公司的该被诉侵权设备进行了技术勘验，双方分别发表了比对意见。

微导公司原审认为，被诉侵权设备的生产流程为：通过自动化方式把花篮内的硅片转移到料盒内，其中第一排硅片和料盒顶端距离大于100mm，以便于喷淋板内的气体喷出时能达到均匀扩散的目的；通过机械将料盒传送到反应腔内（对应于NCD株式会社所称的处理室），工艺气体只通过料盒不通过反应腔，料盒与反应腔保持30mm以上距离，以便避免反应腔的维护。其镀膜工艺是通过阀门控制让第一和第二反应气体分别进入料盒，同时阀门起到阻挡反应气体的作用。工艺完成后料盒退出。与涉案专利技术方案相比，该工艺流程无法形成层流，区别于涉案专利供气单元、基片和处理室之间的空间均有层流；且该工艺流程的供气单元和排气单元分别在前后端，气体从前端吹向后端，吹气方向与硅片是平行的摆放方向，区别于涉案专利供气单元和排气单元分别在处理室的侧部，气体横向流动于反应室，供气从反应室侧面进入，吹向反应室同一侧面的另一位置；此外，被诉侵权设备的吹进气体是供入到料盒内的，通过阀门关闭第一、第二反应气体，区别于涉案专利通过吹进气体阻挡第一、第二反应气体。

NCD株式会社原审认为，对于微导公司陈述的被诉侵权设备的运作步骤无异议。涉案专利所述层流之间的距离是指两股气体的层流之间的距离，其权利要求1中并未限定距离具体是多少；涉案专利所述处理室的侧壁，但其并未限定侧壁的具体位置，处理室的上下、前后、左右六个方向都属于侧壁；根据现场勘验照片所示，处理室的底部有白色粉末，表明被诉侵权设备的反应气体不仅仅在料盒内，也是充满整个处理室的；涉案专利权利要求5中的3）所述的吹净气供入处理室同时阻挡所述第一反应气，并非指用吹净气来阻挡反应气，而是连续先后输入第一反应气、吹净气，从而使得第一吹净气空间与第一反应气空间连续地被形成并沿相同方向移动。综上，被诉侵权设备具备了涉案专利权利要求1、5的全部技术特征，落入了涉案专利权的保护范围。

就此，微导公司进一步认为，根据涉案专利权利要求5中3）的表述，表明吹净气供入时第一反应气体是存在的，而被诉侵权设备相应步骤中是通过脉冲阀把第一反应气体切断了，因此，两者是不同的；被诉侵权设备采用喷淋方式进行反应镀膜，不需要如涉案专利所述的要具备层流的距离；现场勘验照片所示有白色粉末的底板并非处理室的底板，而是料盒的底板，该料盒底板起到了对料盒与处理室的隔离作用，当料盒迁出时，料盒底板仍然留在处理室内，仅在维护的时候才会被抽出。另外，被诉侵权设备处理室外部有加热器，处理室起到了保护料盒内基片的作用，故该底板也不可能是处理室的底板，否则会对其上部的待处理基片的处理工艺效果产生严重影响。

原审庭审中，NCD株式会社请求原审法院对顺风光电公司处的被诉侵权设备是否侵害涉案专利权、是否应当停止侵权行为先行作出判决。

为本案诉讼，NCD株式会社已支出公证费5000元，律师费99217.48元。

原审法院认为，《中华人民共和国民事诉讼法》（2017年修正，以下简称2017年修正的民诉法）第一百五十三条规定，人民法院审理案件，其中一部分事实已经清楚，可以就该部分先行判决。一般而言，人民法院应当在查明与原告诉讼请求相应的全部案件事实的基础上作出裁判。但当案件存在事实认定复杂、困难，导致诉讼周期冗长的情形时，人民法院可以就部分诉讼请求的相应事实清楚的部分进行先行判决，设立该制度的目的是为了及时保障当事人的合法权益，防止诉讼过分迟延。就本案而言，NCD株式会社的诉讼请求主要包括停止侵权及赔偿损失两部分，就损害赔偿额，NCD株式会社并未提交证明其损失或微导公司因实施被诉侵权行为获利的任何证据，本案不存在因该部分诉请相应的事实复杂导致难以及时查明的情形。若涉案被诉侵权设备被认定构成侵权的，则人民法院可根据查明事实直接作出判决，本案采用先行判决的方式反而会导致双方的纠纷久拖不决，违背先行判决制度设立的初衷。因此，原审法院对NCD株式会社要求先行判决的请求不予准许，本案应当在现有查明事实的基础上径行作出判决。

NCD株式会社系涉案专利权利人，该专利权现行有效，依法应受保护。《中华人民共和国专利法》（2008年修正，以下简称2008年修正的专利法）第五十九条规定了发明专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第二条规定，人民法院应当根据权利要求的记载，结合本领域普通技术人员阅读说明书及附图后对权利要求的理解，确定专利法第五十九条第一款规定的权利要求的内容。

本案NCD株式会社主张保护涉案专利的独立权利要求1和5，具体为涉及一种薄膜沉积的系统及其实施方法的两个技术方案。经原审现场勘验，微导公司被诉KF550D型夸父原子层沉积镀膜系统设备的主要运行方式为：基片批量垂直放置在料盒上，多个料盒转移至处理室内，经由脉冲阀控制的两根进气管分别通过料盒前端的喷淋板先后提供反应气体，实现对料盒内基片的薄膜沉积，气体从料盒前端吹至料盒后端后，通过排气管排出。经勘验可知，被诉侵权设备的喷淋板密布喷淋孔，其相应位置均对应于其所封闭的料盒内；料盒与处理室内壁的距离远大于相近的两基片之间的距离；反应气体从进气到排气的流向呈直线方向。因此，被诉侵权技术方案与涉案专利权利要求1和5的技术方案相比，存在如下区别：1.反应气体不进入处理室，涉案专利的反应气体则进入处理室；2.料盒与处理室内壁之间的距离大于各相邻基片之间的距离，涉案专利则距离相同；3.进气与排气的流向为同一方向，涉案专利则呈相反方向。基于此，被诉侵权设备与涉案专利相比，不具备权利要求1中“以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”“从而所述气体以层流状被提供至……，以及基片与处理室的壁之间的空间”以及“其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上”三个技术特征；也不具备权利要求5中“其中，在所述操作1）至5）的过程中，沿与供应所述反应气和吹净气的方向相反的方向没有停止地进行排气操作”以及“并且……所述料盒与所述处理室之间的距离为随后将所述处理室排出的气体的层流之间的距离”两个技术特征。

特别是，根据NCD株式会社在涉案专利说明书背景技术中的描述，用于原子层沉积的传统设备通过扩散板上的喷淋孔以点式方式供应气体进行沉积，该技术方案存在薄膜均匀性变差的缺陷，被诉侵权设备即采用了该种技术方案，而这正是涉案专利发明创造所要克服的缺陷所在，结合本案被诉侵权设备所采用的具体实施方式，足以认定被诉侵权设备与涉案专利分别采用了两种不同的技术方案。

综上，被诉KF550D型夸父原子层沉积镀膜系统设备与涉案专利权利要求1和5相比，因缺少前述五项技术特征，应认定其未落入涉案专利权的保护范围。据此，NCD株式会社的诉讼请求缺乏事实和法律依据不能成立，原审法院对其全部诉讼请求予以驳回。

原审法院依照2008年修正的专利法第十一条第一款、第五十九条第一款、《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第七条、2017年修正的民事诉讼法第六十四条规定，判决：驳回NCD株式会社的诉讼请求。原审案件受理费31634元，由NCD株式会社负担。

二审中，双方当事人均未提交新证据。

原审法院查明事实属实，本院予以确认。

本院另查明，涉案专利说明书[0041]段记载：具体地，在该实施例中，在料盒C在处理室20内安置时，料盒C安置成每个料盒与处理室的侧壁之间的距离或者在每个料盒C内所接收的相应的基片之间的距离为层流之间的距离。[0042]段记载：正如在此所用，术语“层流”指的是供入到窄空间内并沿特定的方向没有弥散且显著不扩散地移动的气体的流。[0043]段记载：此外，正如在此所用，术语“层流之间的距离”指的是两股气体的层流之间的距离，在该实施例中，层流之间的距离可以是0.2至10mm。如果层流之间的距离小于0.2mm，则系统不仅很难进行处理和生产，而且很难控制气体供应。如果层流之间的距离超过10mm，则气体的层流不被维持，造成了气体的自由弥散。

原审法院2020年4月9日的勘验笔录记载：微导公司黎微明陈述，“我们必须保持第一排硅片和料盒顶端距离大于100毫米，以偏于喷淋板内的气体喷出时能达到均于扩散的目的”。

本院认为，根据双方当事人的诉辩意见及案件事实，本案二审争议焦点为：（一）原审法院审理程序是否合法；（二）被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权的保护范围。

2020年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称2020年修正的专利法）已于2021年6月1日起实施，因本案被诉侵权行为发生于2020年修正的专利法施行前，本案应适用2008年修正的专利法进行审理。

（一）关于原审法院审理程序是否合法

NCD株式会社主张原审法院组织现场勘验时有技术调查官参加，但并未按照相关法律规定告知当事人，且原审判决中亦无技术调查官署名，原审审理程序不当，应发回重审。

对此，本院认为，依据《最高人民法院关于技术调查官参与知识产权案件诉讼活动的若干规定》第一条、第三条的规定，人民法院在审理专业技术性较强的专利侵权案件时可以指派技术调查官参与诉讼活动，参与诉讼活动的技术调查官确定或者变更后，人民法院应当在三日内告知当事人，并依法告知当事人有权申请技术调查官回避。但是，指派技术调查官并不是人民法院查明专业技术事实的必经程序，人民法院也可以要求专业技术人员运用专门知识或技能对案件专业技术性问题进行解释或者答复，此种情况下专业技术人员所出具的技术咨询意见仅供审理案件的合议庭参考，不作为定案的依据，亦不对外公开。本案中，原审法院并没有指派技术调查官参与诉讼活动，仅要求技术咨询人员对案件专业技术性问题进行解释或者答复，原审法院审理程序并无不当。NCD株式会社的此项主张不能成立，应予驳回。

（二）关于被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权的保护范围

2008年修正的专利法第五十九条第一款规定：“发明或实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。”《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第七条规定：“人民法院判定被诉侵权技术方案是否落入专利权的保护范围，应当审查权利人主张的权利要求所记载的全部技术特征。被诉侵权技术方案包含与权利要求记载的全部技术特征相同或者等同的技术特征的，人民法院应当认定其落入专利权的保护范围；被诉侵权技术方案的技术特征与权利要求记载的全部技术特征相比，缺少权利要求记载的一个以上的技术特征，或者有一个以上技术特征不相同也不等同的，人民法院应当认定其没有落入专利权的保护范围。”依据上述规定，在进行权利要求解释时，应以权利要求的文义为基础，结合说明书及其附图对权利要求中的技术术语进行合理的解释。其中，当用说明书及其附图解释权利要求时，说明书中描述的发明目的对权利要求的解释有重要作用。

本案中，NCD株式会社请求保护的涉案专利权利要求1系“一种薄膜沉积系统”，权利要求5系“一种薄膜沉积方法”，原审法院经现场勘验，认为被诉侵权设备所使用的薄膜沉积系统与涉案专利权利要求1相比较，不具备“以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”“所述供气单元安置在所述处理室的一个侧壁上并且将气体沿与所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒内安置的所有基片，从而所述气体以层流状被提供至各基片的前端、各基片之间的空间、以及基片与处理室的壁之间的空间”“其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上”三个技术特征；被诉侵权设备所使用的薄膜沉积方法与涉案专利权利要求5相比较，不具备“其中，在所述操作1）至5）的过程中，沿与供应所述反应气和吹净气的方向相反的方向没有停止地进行排气操作”以及“并且……所述料盒与所述处理室之间的距离为随后将所述处理室排出的气体的层流之间的距离”两个技术特征。NCD株式会社认为，原审法院上述认定错误，对此，本院分析如下：

1.关于被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权利要求1的保护范围

（1）关于被诉侵权技术方案是否具有“以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”这一技术特征，涉案专利权利要求1中载明“料盒，其装载多个基片，以使得各基片之间彼此隔开恒定的距离”“处理室，其中所述处理室接收所述料盒，以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”“排气单元……并且相应的基片之间的距离为层流之间的距离”，即根据权利要求1的记载，涉案专利权利要求1中料盒与所述处理室的内壁之间的距离、基片之间的距离均为层流之间的距离。结合涉案专利说明书[0041][0042][0043]段记载的内容可知，上述各组成部件之间距离的设置是为了保证反应气进入料盒后能够沿着特定的方向没有弥散且显著不扩散地移动，为实现这一目的，层流之间的距离应设置在0.2至10mm之间。经原审法院现场勘验，被诉侵权设备料盒与处理室内壁的距离远大于相近的两基片之间的距离。且原审勘验时，微导公司员工亦陈述为了保证喷淋板喷出的气体均匀扩散，被诉侵权设备料盒内第一排硅片与处理室内壁顶端之间的距离大于100mm。显然，被诉侵权技术方案中处理室与料盒之间的距离不满足涉案专利所限定的形成层流的距离要求，原审法院认定被诉侵权技术方案不具有涉案专利权利要求1中“以使得所述料盒与所述处理室的内壁之间的距离为层流之间的距离”这一技术特征，并无不当，应予维持。

（2）关于被诉侵权技术方案是否具有涉案专利权利要求1中“其中所述供气单元安置在所述处理室的一个侧壁上并且将气体沿与所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒内安置的所有基片，从而所述气体以层流状被提供至各基片的前端、各基片之间的空间、以及基片与处理室的壁之间的空间”这一技术特征，涉案专利权利要求1记载了反应气将以层流状被提供至“基片与处理室的壁之间的空间”，经原审法院现场勘验，被诉侵权设备中喷淋板密布喷淋孔，其相应位置均对应于其所封闭的料盒内。显然，结合被诉侵权设备中喷淋板位置均对应于其所封闭的料盒内以及被诉侵权设备中料盒内第一排硅片与处理室内壁顶端之间的距离大于100mm的技术特征，可以认定被诉侵权设备中反应气并非以层流状被提供至“基片与处理室的壁之间的空间”，而是采用了涉案专利说明书背景技术中所描述的，通过扩散板上的喷淋孔以点式方式供应气体进行沉积的现有技术，该技术方案存在涉案专利所要克服的薄膜均匀性变差的技术缺陷，故，原审法院认定被诉侵权技术方案不具有涉案专利权利要求1中“其中所述供气单元安置在所述处理室的一个侧壁上并且将气体沿与所述基片的布置平行的方向供至在所述料盒内安置的所有基片，从而所述气体以层流状被提供至各基片的前端、各基片之间的空间、以及基片与处理室的壁之间的空间”这一技术特征，并无不当，应予维持。

（3）关于被诉侵权技术方案是否具有涉案专利权利要求1中“其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上”这一技术特征，涉案专利权利要求1中载明，排气单元安装在与供气单元相反的侧部上，经原审法院现场勘验，被诉侵权设备气体从料盒前端吹至料盒后端后，通过排气管排出，即被诉侵权设备中排气单元在料盒后端，供气单元在料盒前端。虽然涉案专利权利要求1中并未限制处理室的侧壁是否包括处理室前后侧壁，但结合处理室接收料盒的功能可知，处理室的前侧为开口，可将料盒从该开口送入处理室内，故涉案专利权利要求1中所载供气单元不可能位于处理室的前端。考虑到涉案专利权利要求1中排气单元位于供气单元相反的侧部，因此，涉案专利权利要求1中供气单元不可能位于处理室的后侧。综上，被诉侵权技术方案不具有涉案专利权利要求1中“排气单元，其中所述排气单元在所述处理室内安置在与供气单元相反的侧部上”这一技术特征，原审法院认定正确，应予以维持。

综上所述，原审法院因被诉侵权技术方案缺少涉案专利权利要求1记载的一个以上的技术特征，认定被诉侵权技术方案未落入涉案专利权利要求1的保护范围，具有事实依据，本院予以维持。

2.关于被诉侵权技术方案是否落入涉案专利权利要求5的保护范围

关于被诉侵权设备操作过程中是否具有“在所述操作1）至5）的过程中，沿与供应所述反应气和吹净气的方向相反的方向没有停止地进行排气操作”这一技术特征，经原审法院现场勘验，被诉侵权设备中气体从料盒前端吹至料盒后端后，通过排气管排出，反应气体从进气到排气的流向呈直线方向，即排气与供气的方向为相同方向，与涉案专利权利要求5记载的排气与供气方向为相反方向不同。且两者供气与排气方向的差异，与两技术方案中供气单元与排气单元的位置设置有关。被诉侵权设备中供气单元与排气单元设置于处理室的前端与后端，故供气与排气的方向相同。而涉案专利中供气单元与排气单元设置于处理室的侧壁的相反侧部上，故供气与排气的方向相反。因此，原审法院认定，被诉侵权技术方案不具有涉案专利权利要求5中“在所述操作1)至5)的过程中，沿与供应所述反应气和吹净气的方向相反的方向没有停止地进行排气操作”这一技术特征，并无不当，应予维持。

关于被诉侵权设备操作过程中是否具有“并且……所述料盒与所述处理室之间的距离为随后将所述处理室排出的气体的层流之间的距离”这一技术特征，如前所述，被诉侵权设备中料盒与处理室之间的距离并非层流之间的距离，故，对于被诉侵权设备不具有涉案专利权利要求5中“并且……所述料盒与所述处理室之间的距离为随后将所述处理室排出的气体的层流之间的距离”这一技术特征不再进行阐述。

综上所述，原审法院因被诉侵权技术方案缺少涉案专利权利要求5记载的一个以上的技术特征，认定被诉侵权技术方案未落入涉案专利权利要求5的保护范围，具有事实依据，本院予以维持。

综上，NCD株式会社的上诉请求不能成立，应予驳回。原审法院事实查明清楚，法律适用正确，应予维持。依照《中华人民共和国民事诉讼法》第一百七十七条第一款第一项之规定，判决如下：

驳回上诉，维持原判。

二审案件受理费31634元，由NCD株式会社负担。

本判决为终审判决。

审判长　　原晓爽

审判员张新锋

审判员孔立明

二〇二二年七月二十六日

法官助理郝小娟

书记员汪妮